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Silicon Lithography


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Silicon-Containing Materials For Sub-65 nm Etch (PDF size = 560KB)
The use of silicon-containing materials in future lithography schemes should provide etch-resistant options, while depth of focus and photoresist film thicknesses continue to decrease.

Bilayer Resist for Sub-65 nm Lithography (PDF size = 441KB)
A new class of photoresists with high silicon content (23 wt%) achieved 55 nm features with high etch resistance and low line edge roughness. It also demonstrated compatibility with the immersion lithography process.

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